Một chế độ đọc hoặc viết DRAMs đặc trưng bởi sự sụt giảm trong chu kỳ thời gian khoảng 2 - 3 lần và tương ứng với một gia tăng trong hoạt động. Các dữ liệu truy cập trong chế độ nhanh-trang chu kỳ phải được kề bên trong bộ nhớ. Xem EDO.