โหมดอ่านหรือเขียนของ DRAMs โดยลดลงในรอบเวลาของเกี่ยวกับ 2 - 3 ครั้ง และสอดคล้องกับเพิ่มประสิทธิภาพการทำงาน ข้อมูลเข้าถึงได้ในโหมดหน้าเร็วรอบต้องอยู่ติดกันในหน่วยความจำ EDO ดู