Метод напыления тонких полупроводниковых пленок используется, чтобы определенные типы фотоэлектрических устройств. С помощью этого метода субстрат подвергается воздействию одного или нескольких соединений испаряется, один или несколько из которых содержат желательно составляющих. Начинается химическая реакция, на или вблизи поверхности субстрата, чтобы произвести нужный материал, который конденсируется на подложке.