メモリ デバイスの劣化を回避するストアド データを継続的に更新する必要があります。の各ビットは 1 つの MOS キャパシタに電荷として格納されます。トランジスタの電荷漏れ、動的メモリ リフレッシュしなければならない ms 毎 2 その内容全体を書き直すことによって。

通常、これは、システムを遅くしていませんが追加メモリ更新ロジックは不要です。